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By Reinhold Paul

Die Transistortechnik ist eines jener Gebiete, auf dem in den letzten Jahren ganz erhebliche Fortschritte technischer und wirtschaftlicher artwork gemacht werden konnten. An dieser Entwicklung hat die Transistormeßtechnik, die sich mit den Verfahren zur Bestimmung der Kennwerte und Kenngrößen des Transistors be­ schäftigt, in ganz entscheidendem Maße Anteil. Eine geschlossene Darstellung der vielfältigen Meßverfahren erscheint deshalb zum gegenwärtigen Zeitpunkt als gerechtfertigt. Die Entstehung einer "Transistormeßtechnik" hat verschiedene Ursachen: Der Transistor muß, seiner Funktionsweise entsprechend, durch mehr Kennwerte beschrieben werden als die in dieser Hinsicht wesentlich angenehmere Elektronen­ röhre. Die Kennwerte hängen zudem von einer ganzen Reihe von Parametern wie Frequenz, Arbeitspunkt, Temperatur ab, die es dem Hersteller aus wirtschaftlichen Gründen versagen, auch nur annähernd ausreichendes Datenmaterial für die vielen Anwendungsbereiche bereitzustellen. Auch die relativ leicht eintretende Gefahr der Überlastung des Transistors zwingt den Hersteller, eine größere Anzahl von Kenn­ werten und Sicherheitsgrenzen anzugeben, die durchweg auf experimentellem Wege kontrolliert werden. Schließlich veranlaßten - vor allem in der ersten Entwicklungs­ part - die großen, heute durch die Planartechnologie eingeengten Streuungen der Kenngrößen einen hohen meßtechnischen Aufwand seitens des Herstellers, um dem Anwender einigermaßen vertretbare Streugrenzen herausmessen zu können. Gegenstand der Transistormeßtechnik sind nicht die grundsätzlichen schwach­ stromtechnischen Meßverfahren schlechthin, sondern ihre Anpassung und An­ wendung auf den Transistor unter Beachtung seiner Besonderheiten. Die Fülle der bekannt gewordenen Verfahren versagte es von vornherein, über das zum Ver­ ständnis grundsätzlich Notwendige hinauszugehen, und die vielen Schaltungs­ auslegungen im aspect zu analysieren. Diese Kürzung dürfte zugunsten einer über­ sichtlicheren Darstellung vertretbar sein.

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52) gikl, Cik und damit der Punkt w gik2 = 2Wo(Cikmlf->O - -> 00 fest. 53) nachgeprüft werden. 3. 13]. Zu den statischen Kennwerten gehören: a) die Restströme der Kollektor- und Emitterdiode unter verschiedenen Abschlußbedingungen (Kurzschluß, Leerlauf). Diese Restströme werden durchweg bei hohen Sperrspannungen gemessen, am besten bei den maximal zulässigen Werten und einer anzugebenden Umgebungstemperatur; b) die maximal zulässigen Ströme I cmax , I Bmax ' I Emax als absolute Grenzwerte. Sie werden beim Hersteller durchweg aus Belastungsversuchen mit verschiedener Beanspruchung gewonnen, wobei sich gewisse Parameter (z.

Es kann bei großer Zeitkonstante vorkommen, daß überhaupt nur noch eine Grenzfrequenz existiert oder der 0,7fache quasistatische Wert gar nicht erreicht wird. 115]. ~fb gemäß GI. 27) bestimmen. Ob man bei dieser Bestimmung von GI. 31) ausgeht oder die den Phasengang von (X~L genauer erfassende Beziehung ,L (Xb n. J 'P ,- I . 1] verwendet, bleibt sekundärer Natur. 105] und reicht in dieser Form für meßtechnische Belange durchweg aus. ~ [GI. 28)] und Anwendung von GI. 32) zur Berechnung von whfb und Wb [GI.

3. Kennwertefür das Impuls- und Schaltverhalten 57 ziemlich leicht berechnen läßt, wird der Kollektorzeitfaktor als erster anzugebender Ladungssteuerparameter angesehen. 62) Der zweite Ladungssteuerparameter resultiert aus der Ladungsänderung QyC der Kollektorraumladungszone, die bei nicht kurzgeschlossenem Transistorausgang mit der SpannungsänderungL1 UCB verursacht wird. 35]. Ganz entsprechend müßte man auch die Emitterladungsänderung QYB berücksichtigen, sie wird aber gewöhnlich als bereits in QB mit enthalten angenommen.

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